技術文章
Technical articles本產品為6英寸高低溫熱臺，能夠在高溫400度和低溫-120度的環(huán)境中工作。它是一種用于實驗室、研究及工業(yè)生產過程中進行精確溫度控制的設備，廣泛應用于各類材料的熱處理、熱性能測試、化學反應、生物樣品處理等方面。本產品具有溫度范圍廣、控溫精度高、操作簡便及使用安全等特點，是實驗室及工業(yè)領域非常理想的高低溫熱臺設備。產品用途：1.材料熱處理：廣泛應用于金屬、陶瓷、塑料、粉末、納米材料等領域的熱處理、退火、焊接和熔化等工藝過程。2.熱性能測試：可用于材料的導熱系數(shù)、熱膨脹系數(shù)、比熱容...
塞貝克系數(shù)（SeebeckCoefficient）也稱為熱電偶效應或Seebeck效應，是指兩種不同導體（或半導體）材料在一定溫差下產生熱電動勢的現(xiàn)象。塞貝克系數(shù)是研究熱電材料（將熱能轉化為電能的材料）非常重要的一個參數(shù)，它用來衡量材料在一定溫差下產生的熱電壓。塞貝克系數(shù)的測量方法有很多種，其中一種常用的方法是恒流法。首先準備一個熱電偶，它由兩種不同材料的導線組成。然后將熱電偶的其中一個節(jié)點保持在恒定的高溫T1，而另一個節(jié)點保持在低溫T2（不同于T1），使熱電偶產生熱電動勢（...
真空加熱腔體是一種用于加熱材料的裝置，其原理是在真空環(huán)境下對材料進行加熱，通過熱傳導的方式使其達到所需溫度。與常壓加熱相比，真空加熱可以減少氧化反應、避免污染、增加溫度控制的精度等優(yōu)點。由真空室、加熱元件、溫度控制器等組成。真空室內部的氣體與外界隔絕，可以通過真空泵將其抽出，使腔內產生真空環(huán)境。加熱元件一般由加熱器、熱交換器和傳感器等部分組成，加熱器主要是產生熱量，熱交換器用于將熱能傳遞給腔體內的物質，傳感器則用于監(jiān)測溫度。溫度控制器根據(jù)傳感器讀數(shù)控制加熱器的加熱功率，以保持...
真空度顯示：顯示腔體內部的真空度數(shù)值運行程序段：分為3個步驟，綠色表示運行狀態(tài)①真空泵啟動②射頻電源打開③放氣進氣流量顯示：通過調節(jié)A、B流量調節(jié)閥調節(jié)氣體進入腔體的大小，在兩個圖標顯示，上部顯示為A流量，下部顯示為B流量時間：顯示設備清洗時間功率:顯示當前設備清洗是清洗功率設備溫度：顯示當前射頻電源設備溫度放氣狀態(tài)：顯示當前放氣閥開啟或關閉狀態(tài)清洗時間：點擊可設置設備運行清洗時間清洗功率：點擊可設置設備運行清洗功率開始運行：點擊可切換設備開始運行或者停止運行參數(shù)設置：非專業(yè)...
1、氫氧機1500w需要獨立插座2、配置溶液需要提前配置液體配置流程在通風良好處，帶好防護措施手套口罩10升左右的純水（蒸餾水或去離子水）。容器和攪拌棒需要塑料或者玻璃材質，然后將箱子里的三桶氫氧化鉀緩慢的倒入水桶中，同時攪拌（液體會放出熱量及刺激性氣味，具有腐蝕性），攪拌至全部溶解為止。放置在通風處到常溫狀態(tài)設備加入容易之后可以前后推動搖晃一下以便在腔體內部均勻分布3、添加過濾溶液4、連接管道管道連接順序出氣口→管道→回火閥→火焰槍頭火焰槍頭一般選取最大號（出氣口最大的）注...
小型濺射儀儀問儀答最近小伙伴對于濺射儀使用和技術參數(shù)問的問題比較多，今天總結一下濺射儀的一些常見的技術問題：1、膜厚檢測儀原理：膜厚監(jiān)測儀是采用石英晶體振蕩原理，利用頻率測量技術加上*數(shù)學算法，進行膜厚的在線鍍膜速率和實時厚度計算。主要應用于MBE、OLED或金屬熱蒸發(fā)、磁控濺射設備的薄膜制備過程中，對膜層厚度及鍍膜速率進行實時監(jiān)測。2、濺射儀是否可以鍍鎳：可以鍍鎳但是鎳是導磁金屬所以需要靶材盡量薄0.5mm-1mm最好太厚磁場無法穿透濺射速率很低。3、直流濺射鍍膜調節(jié)：1靶...
高低溫真空探針臺適用于各種場合下的材料表面處理實驗和研究、包括晶體生長、化學氣相沉積、材料蝕刻、物理蒸發(fā)、表面定量分析、測試小時過程等。它是一種非常有效的用于研究各種新型材料的技術工具，如半導體、涂層、金屬、陶瓷、光學和納米復合材料等領域，主要用于測試物品在高低溫和真空環(huán)境下的性能表現(xiàn)。高低溫真空探針臺的使用方法：1.按照說明書所示步驟進行安裝調試，并保證連接牢固、接口不漏氣，以確保測試結果準確可靠。2.儀器啟動后應根據(jù)需要和規(guī)定時間預熱，然后在正式測試之前要對儀器進行調整，...
小型濺射儀的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表...
當前位置：
